基于分段拟合的SiC MOSFET模型优化方法

摘要：

提出了一种基于分段拟合的SiC MOSFET模型优化方法.将表征静态特性的核心单元模型优化为分段模型,以使其能同时准确表征高、低栅压下器件的静态特性.同时,在模型分段处进行线性插值以保证模型函数的连续性,基于器件漏源支路元器件参数对拟合数据进行修正以提高模型表征参数的提取准确度.此外,为提高器件的动态模型准确度,增加了栅漏结电容模型函数的分段点,并给出了分段点选择方法.将优化前后栅漏结电容模型函数和静态仿真结果与测试获得的电容曲线、转移曲线和输出曲线进行对比,曲线匹配度较高,表明提出的优化方法显著提高了动态和静态模型的准确性.最后,搭建了SiC MOSFET开关特性测试平台,通过动态开关实验验证了模型优化方法的准确性.

关键词：分段拟合、模型优化、SiC MOSFET、仿真模型、静态特性、动态特性

所属期刊栏目：46

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划2018YFB0905703

在线出版日期：2021-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：866-874