6.5 kV SiC光控晶闸管的研制

摘要：

基于Sentaurus TCAD软件,研制了一款6.5 kV SiC光控晶闸管.通过优化雪崩击穿模型,对多层外延材料的规格及渐变终端技术进行研究,有效抑制了芯片表面峰值电场,实现了6.5 kV的耐压设计;此外结合实际应用需求,对器件的开通特性进行了仿真模拟.在4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC工艺平台制备了6.5 kV SiC光控晶闸管,并对器件性能进行了测试.测试结果显示,芯片击穿电压超过6.5 kV,在4 kV电源电压以及365 nm波长紫外光触发的条件下,器件导通延迟约为200 ns,脉冲峰值电流约为2.1 kA,最大导通电流变化率(di/dt)达到6.3 kA/μs,测试结果与仿真模拟结果基本一致.

关键词：碳化硅(SiC)、光控晶闸管(LTT)、脉冲开关、击穿电压、电流变化率(di/dt)

所属期刊栏目：46

分类号：TN342.7(半导体技术)

在线出版日期：2021-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：861-865