基于GaN HEMT工艺的高功率宽带6 bit数字移相器

摘要：

基于GaN HEMT工艺研制了一款8～12.5 GHz宽带6 bit数字移相器.通过采用优化的宽带拓扑和集总元件,以及在片上集成GaN并行驱动器,提高了移相精度,缩小了芯片的尺寸,减少了控制端数量.测试结果表明,在8～12.5 GHz频带内,全部64个移相状态下,插入损耗小于11 dB,输入回波损耗小于-14 dB,输出回波损耗小于-16 dB,移相均方根误差小于1.8°,幅度变化均方根误差小于0.5 dB.在8 GHz频率下,1 dB压缩点输入功率高达33 dBm.芯片尺寸为5.05 mm×2.00 mm×0.08 mm.

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)、数字移相器、微波单片集成电路(MMIC)、宽带、高功率

所属期刊栏目：46

分类号：TN43;TN715(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2021-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：847-853