Si衬底上Ge外延薄膜与器件研究进展

摘要：

随着Si基器件发展遇到瓶颈,具有更优异性能且与Si基CMOS工艺良好兼容的Ge基器件展现出了应用于集成电子与光电子领域的广阔前景.然而,Si基Ge器件性能会受制于Si与Ge之间较大的晶格失配所产生的高密度位错.因此,控制Si衬底上Ge外延薄膜的位错密度成为高性能Ge器件制备的研究重点.文章着重介绍了插入层、低温成核层和选区外延生长技术3种Si衬底上Ge外延薄膜位错控制技术的基本原理及研究进展,讨论了Si基Ge器件的最新研究进展,并展望了Si基Ge薄膜生长和器件制备的发展前景.

关键词：Si基集成、Si基Ge薄膜、异质外延、位错控制、器件

所属期刊栏目：46

分类号：TN304.054(半导体技术)

资助基金：广东省重点领域研发计划资助项目2019B010145001

在线出版日期：2021-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：825-832