溅射温度对Ga2O3薄膜物理特性的影响

摘要：

采用射频磁控溅射法在蓝宝石(Al2O3)衬底上制备Ga2O3薄膜,研究溅射温度对Ga2O3薄膜晶体结构、表面形貌、光学特性的影响.X射线衍射结果显示,温度过低不利于薄膜晶化,随着温度的升高,结晶质量变好;通过计算薄膜晶体的粒径、晶面间距、非均匀应变和织构系数,发现四组样品均沿(201)晶面择优生长,450℃时所制备的Ga2 O3薄膜结晶质量最好.扫描电子显微镜(SEM)结果表明,随着温度的升高,Ga2O3薄膜粒径逐渐增大,结晶质量变好.光学吸收谱图表明,随着温度的升高,Ga2O3薄膜禁带宽度先增大后减小,平均值为4.88eV.透射谱图表明,Ga2O3薄膜在可见光波段的平均透过率约为85％,适合作为高信噪比紫外探测器的吸收层.该项研究为Ga2O3在紫外探测及高功率电子器件领域的应用提供了参考.

关键词：磁控溅射、Ga2O3薄膜、溅射温度、晶体结构、光学特性

所属期刊栏目：46

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;河南省科技攻关项目;河南省优秀青年科学基金资助项目;河南省高等学校重点科研项目;河南省高等学校青年骨干教师培养对象项目;河南科技大学大学生研究训练计划项目

在线出版日期：2022-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：783-787,818