高纯度α-SiC粉料的合成

摘要：

为获得高纯半绝缘(HPSI)SiC生长用粉料,采用自蔓延高温合成(SHS)法获得了高纯度α-SiC粉料.在合成小粒径β-SiC粉料基础上,对粉料进行物理破碎,通过二次合成,经高温相转变和再结晶过程得到大粒径 α-SiC粉料.利用X射线衍射(XRD)、辉光放电质谱(GDMS)、二次离子质谱(SIMS)、扫描电子显微镜(SEM)和激光粒度仪等测试手段对合成的粉料进行了表征和分析,并对使用该方法合成的SiC粉料进行了单晶生长验证,通过SIMS和非接触式电阻率测试仪等对SiC单晶的杂质浓度、电阻率等参数进行了测试.结果表明,增加破碎工艺环节后合成的α-SiC粉料N杂质浓度小于1.0×1016 cm-3,但粒径更大(平均值为1853μm,中位径为1851μm)、游离C质量分数更低(<0.01％).采用高纯度α-SiC粉料减少了晶体内包裹物,有助于提高SiC晶体质量.

关键词：高纯半绝缘(HPSI)、游离C、α-SiC、自蔓延高温合成(SHS)法、高纯度

所属期刊栏目：46

分类号：TN304.24(半导体技术)

在线出版日期：2022-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：779-782,807