基于双模互锁的抗三节点翻转锁存器设计

摘要：

随着半导体工艺的发展,集成电路对单粒子效应所引起的软错误更加敏感.为了减弱或消除软错误对集成电路的影响,提出了一种基于32 nm CMOS工艺的抗三节点翻转(TNU)锁存器.该锁存器通过两个互锁的单节点翻转自恢复单元与C单元相连来抗TNU.此外,由于使用时钟门控技术、快速传输路径以及较少的晶体管,使该锁存器的功耗和延迟较低.HSPICE仿真结果表明该锁存器能够抗TNU,与其他先进的辐射加固锁存器相比,该锁存器在减少晶体管数量约34％的情况下,其功耗和延迟分别降低了约58％和21％,而功耗延迟积降低了约68％,并且对工艺、电压和温度(PVT)的波动具有低灵敏度.

关键词：软错误、三节点翻转(TNU)、锁存器、时钟门控、快速传输路径

所属期刊栏目：46

分类号：TN47(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家重大科研仪器研制项目;国家自然科学基金

在线出版日期：2022-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：759-764,794