基于2μm GaAs HBT工艺的宽频带多模分频器

摘要：

基于2μm GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一种应用于宽频带锁相环电路的多模分频器.采用嵌入逻辑单元并加入射极跟随器的发射极耦合逻辑(ECL)结构设计2/3分频单元,电路共采用八级2/3分频单元级联,分频比为256～511.提出了一种分频单元结构,相比传统分频单元减少了电路中触发器和逻辑门的数量,从而减小电路的版图面积并降低了功耗.根据ECL结构优化技术合理设计电路从而提高带宽,同时得到匹配良好的输入输出共模电平.流片测试结果表明,输入频率达到10 MHz～6.5 GHz;在输入频率为5 GHz、输入信号摆幅为20 mV时,总功耗为710 mW.芯片面积为2300μm×3000μm.

关键词：多模分频器、发射极耦合逻辑(ECL)、宽带、分频比、功耗

所属期刊栏目：46

分类号：TN431(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金;浙江省自然科学基金资助项目

在线出版日期：2022-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：754-758