氧化铪基铁电场效应晶体管存储器研究进展

摘要：

铁电存储器是一种具有很多优异性能的非易失性存储器.总结了氧化铪(HfO2)基铁电场效应晶体管(FeFET)存储器的研究进展,并对其存储性能进行了探讨.具铁电性的掺杂HfO2的薄膜可以薄至几纳米,并与CMOS工艺兼容,因此,FeFET可作为新型存储器,但其存储的耐久性有限,会导致存储失效.FeFET存储器的失效原因主要有疲劳、印记、保持性损失等.增强其耐久性的主要方法有铁电薄膜掺杂、退火处理、调整薄膜厚度、合理利用应变效应以及正确处理界面效应等.改善FeFET存储器的抗疲劳能力需考虑多种因素,如薄膜成分、加工过程的温度和压力条件等.对HfO2基铁电薄膜抗疲劳问题的研究,应优先考虑薄膜成分,在此基础上研究加工工艺.

关键词：氧化铪(HfO2)、铁电场效应、铁电存储器、存储失效、抗疲劳

所属期刊栏目：46

分类号：TP333.5(计算技术、计算机技术)

资助基金：中国科学院战略性先导科技专项;中国科学院战略性先导科技专项

在线出版日期：2022-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：745-753,800