T字型硅通孔不同位置界面裂纹扩展研究

摘要：

硅通孔(TSV)技术是实现三维封装的关键技术.随着技术发展,TSV被设计成多种不同结构.以T字型TSV为研究对象,仿真分析了两种温度载荷下T字型TSV中产生的热应力及其分布情况.以此为基础,通过计算裂纹尖端能量释放率,研究了T字型TSV中3个不同位置的界面裂纹失效扩展.结果 表明,T字型TSV中钉头的存在改变了铜/硅/钉头三重连接处和硅材料顶部钉头外周边界条件,在这两处易产生应力集中现象.与完全填充TSV结构相同位置的垂直裂纹相比,T字型TSV中垂直裂纹能量释放率明显下降.另外,T字型TSV中水平向外开裂的界面裂纹扩展时裂纹尖端能量释放率最小,水平向里开裂的界面裂纹扩展时裂纹尖端能量释放率最大,更易发生失稳扩展.

关键词：硅通孔(TSV)、界面裂纹、裂纹扩展、能量释放率、热应力

所属期刊栏目：46

分类号：TN306(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;河南省高等学校重点科研项目;河南省高等学校重点科研项目

在线出版日期：2021-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：324-329