一种基于MEMS体硅工艺的三维集成T/R模块

摘要：

采用微电子机械系统(MEMS)体硅三维异构集成技术,设计了一种应用于雷达的四通道瓦片式三维集成T/R模块.该模块由三层硅基封装堆叠而成,每层硅基封装内部腔体异构集成多个单片微波集成电路(M MIC),内部采用硅通孔(TSV)实现互连,层间通过焊球互连.模块最终尺寸为8 mm×8 mm×3.5 mm.装配完成后对该模块进行测试,测试结果表明,在34～36 GHz内,模块的饱和发射功率为21 dBm,单通道发射增益达到21 dB,接收增益为23 dB,接收噪声系数小于3.5 dB,同时具备6 bit数控移相和5 bit数控衰减等功能.该模块在4个通道高密度集成的基础上实现了较高的性能.

关键词：微系统、微电子机械系统(MEMS)体硅工艺、T/R前端、三维异构集成、硅通孔(TSV)

所属期刊栏目：46

分类号：TN838;TN851(无线电设备、电信设备)

在线出版日期：2021-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：300-304,336