基于InGaP/GaAs HBT的高效率高谐波抑制功率放大器

摘要：

将基于InGaP/GaAs HBT工艺的高线性功率放大器芯片、CMOS控制芯片、输出匹配电路集成于双层基板,研制了一款工作在S波段的高效率、高谐波抑制功率放大器模组(MCM).通过在输出匹配电路中引入多个LC谐振网络,抑制了输出信号的高次谐波分量,改善了放大器模组的线性度和效率.在电源电压4V、静态电流220 mA、工作频率1.9～2.1 GHz条件下,其小信号增益大于34.3 dB,1 dB压缩点输出功率大于34.3 dBm,功率附加效率大于44.2％,谐波抑制比小于-55.0 dBc;采用21.6 kHz π/4正交相移键控(QPSK)方式调制信号,功率放大器模组输出功率为34 dBm时,其误差向量幅度(EVM)小于3.1％,第一邻近信道功率比(ACPR1)小于-31 dBc,第二邻近信道功率比(ACPR2)小于-41 dBc.该放大器模组可广泛应用于卫星通信等领域.

关键词：InGaP/GaAs HBT、功率放大器、高效率、谐波抑制、高线性、S波段

所属期刊栏目：45

分类号：TN454;TN386(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2020-12-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：957-963