In0.17Al0.83N/GaN IMPATT二极管的温度特性

摘要：

为研究碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管的温度特性,采用Sentaurus软件设计了晶格匹配的In0.17Al0.83N/GaN异质结IMPATT二极管二维结构,利用漂移-扩散模型研究了温度对二极管直流及高频特性的影响,并与GaN同质结IMPATT二极管的温度特性进行了比较.结果 表明,温度升高时IMPATT二极管的击穿电压增大,使异质结和同质结IMPATT二极管的射频输出功率密度分别由300 K时的1.62 MW/cm2和1.24 MW/cm2增大至500 K时的1.79 MW/cm2和1.42 MW/cm2.温度升高时二极管雪崩区宽度增大,导致异质结和同质结IMPATT二极管的直流-射频转换效率分别由300 K时的15.4％和12.1％降低至500 K时的14.2％和10.7％.相比之下,In0.17 Al0.83N/GaN异质结IMPATT二极管更适合高温工作,取得的研究数据可用于指导毫米波大功率InAlN/GaN异质结IMPATT二极管的设计.

关键词：In0.17Al0.83N/GaN、二极管、异质结、碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)、温度特性

所属期刊栏目：45

分类号：TN304.26;TN313.4(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;山东省重点研发计划资助项目

在线出版日期：2020-12-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：936-942