一款毫米波超宽带GaN MMIC低噪声放大器

摘要：

基于0.15 μm GaN HEMT工艺,设计并实现了一款超宽带毫米波GaN低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC).该放大器采用4级级联结构,其输入和输出端均采用5阶匹配网络,提高了放大器的匹配带宽;由微带线、短截线和电容组成的无电阻输入匹配网络减小了输入热噪声,优化了电路的噪声系数;在级间匹配网络中引入电阻元件,通过降低Q值扩展电路工作带宽.采用SiC衬底0.15 μm AlGaN/GaN HEMT工艺进行流片,在片测试结果表明,在频率14～34 GHz时,该LNA的增益为(18±1)dB、噪声系数小于4.5 dB,在频率为39 GHz时1 dB压缩点输出功率为19 dBm,最大输入承受功率为30 dBm,相对工作带宽大于100％.研制的MMIC LNA面积为1.71 mm2,功耗为1.05 W.

关键词：低噪声放大器(LNA)、氮化镓(GaN)、微波单片集成电路(MMIC)、毫米波、超宽带

所属期刊栏目：45

分类号：TN722.3(基本电子电路)

在线出版日期：2020-12-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：931-935,956