利用三路脉冲MOCVD技术抑制非极性a面AlGaN外延层缺陷

摘要：

利用三路脉冲金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在半极性r面蓝宝石衬底上成功生长了非极性a面AlGaN外延层.使用高分辨率X射线衍射系统、扫描电子显微镜、原子力显微镜、光致发光测试系统对AlGaN外延层的结构、表面形貌和光学特性进行了测试和表征.结果 表明,与常规三路脉冲MOCVD技术相比,利用新型三路脉冲MOCVD技术生长的非极性a面AlGaN外延层的均方根粗糙度降低了76.9％,且带边激子发光峰的半高宽降低了24.0％.因此,新型三路脉冲MOCVD技术能够有效地抑制生长非极性a面AlGaN外延层所使用的Al源(TMAl)和N源(NH3)前驱体之间的气相寄生反应产生的缺陷,从而显著改善非极性a面AlGaN外延层的表面形貌,同时提高外延层的光学性能和晶体质量.

关键词：AlGaN外延层、三路脉冲技术、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、表面形貌、r面蓝宝石衬底

所属期刊栏目：45

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：陕西省自然科学基础研究计划;科技计划;陕西工业职业技术学院专项科研计划项目

在线出版日期：2020-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：627-631