LEC法生长高质量6英寸InP单晶

摘要：

制备大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一.对于制备大尺寸半绝缘InP单晶而言,由于其需要在高温高压环境下生长,随着热场尺寸的增大,炉体中气氛以及熔体中的对流增大,因而易产生孪晶和多晶.采用液封直拉(LEC)技术,通过多温区热场优化设计,调节各段加热器功率,降低了大尺寸热场温度梯度,提高了热场的对称性和稳定性,获得了平坦的固液界面,同时采用平缓放肩工艺抑制孪晶的形成.重复生长出约9.5 kg的6英寸(1英寸=2.54 cm)InP单晶,直径6英寸以上的单晶部分长度大于67 mm.测试结果表明,单晶片位错密度小于1×104 cm-2,电阻率大于107 Ω·cm.从晶体生长和测试结果可以看出,合适的温度梯度可以使固液界面比较平坦,有效降低InP晶体的位错密度,电阻率片内均匀性为8.7％.

关键词：InP单晶、液封直拉(LEC)法、温度梯度、位错密度、平缓放肩工艺

所属期刊栏目：45

分类号：TN304.053;TN304.23(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2020-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：617-622,651