InP基HBT小信号模型参数直接提取方法

摘要：

为了精确地表征器件特性,提出了一种直接提取T型异质结双极型晶体管(HBT)小信号模型参数的方法.该方法仅依赖于S参数测试数据,采用精确的闭式方程式直接提取电路元件参数.该方法简单、易于实施.首先使用开路短路测试结构提取焊盘寄生电容和电感的值,然后用截止状态和Z参数的方法提取外部电阻,再去掉这些参数以简化电路模型,本征部分的电路元件采用剥离算法来确定参数值.采用1 μm×15 μm的InP HBT对该算法的有效性进行验证,结果表明,在0.1～40 GHz频率范围内,模型仿真结果准确地拟合了器件测试结果.

关键词：异质结双极型晶体管(HBT)、小信号等效电路、直接提取、剥离算法、InP

所属期刊栏目：45

分类号：TN322.8;TN304.23(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;河南省科技攻关计划

在线出版日期：2020-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：602-608,644