位错类型对GaN基蓝光LED光效衰减效应的影响

摘要：

蓝光LED的光效衰减可以使器件在高电流密度下的发光效率急剧降低.研究了GaN材料中不同位错类型对蓝光LED光效衰减效应的影响.通过控制物理气相沉积AlN缓冲层厚度及GaN缓冲层的有无,得到了两组不同螺位错和刃位错密度的GaN样品,其中螺位错密度为1.5×107～1×108 cm-2,而刃位错密度为2×108 ～7×108 cm-2.LED芯片测试结果表明,外量子效率维持率随着螺位错密度的增加而提升,从46.1％增加到54.9％;但随着刃位错密度的增加而降低.刃位错是非辐射复合中心,会加剧高电流密度下的光效衰减效应;而螺位错不是明显的非辐射复合中心,较高的螺位错密度可以改善LED的光效衰减效应.因此可以通过适当增加螺位错密度来提升LED的外量子效率.

关键词：光效衰减、GaN基LED、外量子效率、位错、V型缺陷

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分类号：TN312.8;TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划2017YFB0403102

在线出版日期：2020-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：597-601,616