一种高性能X波段GaAs开关滤波器芯片

摘要：

基于0.25 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款高性能X波段四路开关滤波器微波单片集成电路(MMIC)芯片.芯片内集成了输入和输出单刀四掷(SP4T)开关、驱动器和带通滤波器,实现了开关滤波功能.输入和输出SP4T开关结构相同,各支路都采用串-并联混合形式实现.驱动器集成在片内,由一位低电平(0～0.4 V)或高电平(3.3～5.5 V)信号控制SP4T开关中某一支路的导通或关断.带通滤波器采用分布参数梳状线结构,开路端加载金属-绝缘体-金属(MIM)电容,减小滤波器尺寸的同时拓宽了其阻带带宽.该开关滤波器芯片频率覆盖9.85～12.4 GHz,尺寸为4.5 mm×4.5 mm×0.15 mm.探针在片测试结果表明,开关滤波器芯片4个支路的中心插入损耗均小于6.2dB,通带内回波损耗优于17 dB,典型的带外衰减大于40 dB.

关键词：GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)、单刀四掷(SP4T)开关、带通滤波器、开关滤波器、微波单片集成电路(MMIC)

所属期刊栏目：45

分类号：TN713(基本电子电路)

在线出版日期：2020-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：592-596