VGF-InP中气孔形成机理及对晶体质量的影响

摘要：

采用垂直梯度凝固(VGF)法生长的InP单晶晶锭中部出现气孔,观察了气孔的形成过程,解释了气孔的产生机理,分析了晶体中气孔对晶体质量的影响.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光谱、化学腐蚀法和霍尔测试系统对InP样品的均匀性、结构特性、发光特性、位错密度和电学特性进行测试分析.结果 表明,气孔周围磷含量较高,气孔周围XRD摇摆曲线的平均半峰全宽为65.97",比化学配比InP晶片高1.3倍;位错密度为2 134 cm-2,比化学配比InP晶片高10倍;迁移率为837 cm2·V-1·s-1,比化学配比InP晶片低50.3％.磷气孔破坏了晶体的化学配比和晶格完整性,晶格排列较差,气孔附近位置结晶质量差.磷气孔对周围位置产生一定应力,导致周围位错堆积,气孔使晶片的迁移率下降.

关键词：垂直梯度凝固(VGF)、单晶生长、磷化铟(InP)、气孔、晶体质量

所属期刊栏目：45

分类号：TN304.23(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2020-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：466-470,483