应用于5G微波开关的GaAs pin开关二极管

摘要：

研制了一种基于6英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs外延片的具有高隔离度、低插入损耗的pin开关二极管.采用台面垂直结构以提高器件的工作频率、改善表面击穿电压.提出了采用分步腐蚀法对高台面腐蚀的深度和均匀性进行精准控制.金属互连线使用空气桥互连技术,解决高台面连线困难的问题.p型欧姆接触金属采用Ti/Pt/Au,比接触电阻约为5×10-6Ω·cm2.在无源器件部分制备了电容密度约为597.5 pF/mm2的金属-绝缘体-金属(MIM)电容和方块电阻约为48.5 Ω/口的TaN电阻并进行了钝化.该pin开关二极管的开启电压约为1.1V,反向击穿电压约为25 V.使用该pin二极管设计制备了一款单刀双掷(SPDT)开关,在35 GHz频率下,测得该SPDT开关的隔离度约为28 dB,插入损耗约为1.2dB,适用于5G微波通信的开关设计制造.

关键词：GaAs、pin二极管、高台面、空气桥、单刀双掷(SPDT)开关

所属期刊栏目：45

分类号：TN315.3(半导体技术)

在线出版日期：2020-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：460-465