GaN基梯度掺杂超结电流孔径垂直电子晶体管结构设计

摘要：

设计了GaN基具有超结结构的电流孔径垂直电子晶体管(SJ CAVET)和具有梯度掺杂超结结构的电流孔径垂直电子晶体管(GD-SJ CAVET).采用Silvaco TCAD软件对两种器件的电学特性进行了仿真.与SJ CAVET相比,GD-SJ CAVET在导通时具有更大的电流密度和更宽的电流路径,并得到分布更均匀的电场,因此器件的击穿特性和导通特性均得到了较大改善.相比SJ CAVET,当GD-SJ CAVET梯度掺杂区域数量为3、n柱顶部区域的掺杂浓度为0.5×1016 cm-3时,器件的比导通电阻降低了27.3％,击穿电压提升了27.7％.

关键词：电场分布、超结、梯度掺杂、击穿电压、导通电阻

所属期刊栏目：45

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;重庆市科委产业类重点集成电路专项

在线出版日期：2020-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：449-453,465