考虑背栅偏置的FOI FinFET电流模型

摘要：

建立了绝缘体上鳍(FOI)鳍式场效应晶体管(FinFET)的电流模型,通过推导出背栅对前栅的耦合系数,使电流模型可以预测背栅电压对沟道电流的影响.该模型可以较为精准地预测实验数据和TCAD仿真结果,并且对于FOI FinFET的鳍宽和侧壁倾斜角等几何参数有较宽的适用范围.通过提取耦合系数,证明了背栅对前栅的耦合效应将随着鳍宽和侧壁倾角的增大而增强,而鳍底部的夹角对沟道的影响可以忽略.所提出的模型可以用于建立BSIM模型,指导设计者优化器件性能,以及进行背栅偏置的低功耗集成电路设计.

关键词：绝缘体上鳍(FOI)、鳍式场效应晶体管(FinFET)、电流模型、背栅偏置、耦合效应、耦合系数

所属期刊栏目：45

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2020-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：438-443