栅介质对随机掺杂波动引起MOSFET性能变化的影响

摘要：

根据纳米MOSFET的紧凑模型,采用HSPICE的蒙特卡罗分析方法,研究随机掺杂波动(RDF)引起的纳米MOSFET模拟/射频性能包括栅极电容、截止频率、跨导和输出电导等参数的变化标准差,同时通过改变栅介质的介电常数(ε)和等效氧化层厚度(dox),观测其对RDF引起的模拟/射频性能变化的影响.结果 显示,RDF引起的MOSFET模拟/射频性能参数变化表现出不同的特征,而在适当选择较高的ε和dox情况下,RDF引起的模拟/射频性能参数变化标准差有一定程度的减小(绝对标准偏差整体降低到接近0,相对标准偏差整体最大降低10％),为通过改变等效栅介质抑制RDF的影响提供了实验依据.

关键词：随机掺杂波动(RDF)、纳米MOSFET、等效栅介质、模拟/射频性能、蒙特卡罗分析

所属期刊栏目：45

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;浙江省自然科学基金

在线出版日期：2020-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：145-149