一种用于5G移动通信基站的大功率射频开关

摘要：

基于180 nm绝缘体上硅(SOI) CMOS工艺,设计了一款大功率、低插入损耗的单刀双掷(SPDT)反射式射频开关.提出了一种体区自适应偏置技术,无需偏置电阻对开关管体区进行偏置.采用并联电容补偿技术优化最大输入功率,在长期演进(LTE)9 dB峰均比(PAR)信号输入下,发射通道平均承受功率可达20 W.在3.5 GHz芯片发射通道的插入损耗为0.49 dB,0.1 dB压缩点的输出功率为47 dBm,隔离度为38 dB.在3.5 GHz芯片接收通道的插入损耗为0.43 dB,0.1 dB压缩点的输出功率为31 dBm,隔离度为38 dB.该射频开关芯片适用于5G移动通信LTE基站.

关键词：射频开关、绝缘体上硅(SOI)、5G移动通信、基站、体区自适应偏置

所属期刊栏目：45

分类号：TN454(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2020-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：128-132,162