GaN功率开关器件研究现状

摘要：

第三代半导体材料氮化镓(GaN)具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度等优良特性,基于GaN材料的功率开关器件在高速、大功率领域具有广阔的应用前景.概述了GaN功率开关器件的研究现状及最新进展.从材料外延与器件结构切入,详细介绍了Si基GaN外延晶圆、自支撑GaN垂直结构场效应晶体管(FET)器件和增强型GaN功率器件的实现方法、结构设计及制备工艺研究等GaN功率器件热门研究方向.讨论了GaN功率开关器件面临的挑战.最后对Si基GaN外延晶圆、增强型GaN功率开关器件产业化等发展趋势进行了分析与展望.

关键词：氮化镓(GaN)、功率开关、高电子迁移率晶体管(HEMT)、增强型、动态导通电阻

所属期刊栏目：45

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划;国家重点研发计划;中国博士后科学基金

在线出版日期：2020-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：99-109