GaN微电子学的新进展(续)

摘要：

3 GaN单片IC
3.1 GaN功率IC
GaN单片IC技术包含三类:功率IC、逻辑IC和混合信号IC.其中功率IC基于Si基GaN技术易于与Si IC集成的特点,实现功率开关器件与电路的单片集成.近几年GaN功率IC的技术进步有:实现了GaN功率器件与三阳极续流二极管、共源共栅二极管、栅驱动电路、温度传感器等的单片集成,半桥电路、变换器IC和由微波驱动的IC(DBM-IC)等功率电路的单片集成,由GaN功率IC混合集成的GaN 3×3矩阵变换器、1.0 MHz GaN电力系统的GaN基隔离栅驱动器和300 MHz谐振的小型DC-DC变换器.

机标关键词：微电子学、新进展

所属期刊栏目：45

分类号：TN304.2;TN4(半导体技术)

在线出版日期：2020-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：89-98