氧氩比对磁控溅射CuO薄膜特性的影响

摘要：

采用射频磁控溅射法利用铜靶在硅片和蓝宝石衬底上制备CuO薄膜,研究氧氩比对CuO薄膜的晶体结构、表面形貌和光电特性的影响.X射线衍射测试结果显示,较低的氧氩比下,薄膜样品由Cu20和CuO组成;在氧氩比达到5∶35时,薄膜成份仅为CuO;且随着氧氩比的增加,CuO薄膜由(002)取向逐渐转向(111)取向.扫描电子显微镜图像显示CuO薄膜均匀,随氧氩比增加晶粒尺寸逐渐变小.光学测试结果显示,CuO薄膜在近红外区域具有良好的透射性,利用吸收值经过线性外推法测得禁带宽度为1.6～1.8 eV.电学测试结果显示,制备的薄膜样品均为p型导电;且随氧氩比的增加,CuO薄膜样品迁移率由0.027 cm2/(V·s)增加至0.201 cm2/(V·s),载流子浓度由近1021 cm-3减小至1019 cm-3,电阻率减小1 kΩ·cm.

关键词：CuO薄膜、磁控溅射、氧氩比、晶体结构、光电特性

所属期刊栏目：44

分类号：TN304.21(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;河南省高等学校重点科研项目;河南科技大学大学生研究训练计划;河南科技大学物理与工程学院大学生研究训练计划项目

在线出版日期：2019-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：888-892