复合络合剂在阻挡层抛光液中的应用

摘要：

分别选用FA/OⅡ型螯合剂和柠檬酸钾(CAK)单独配置及复合配置多层铜布线阻挡层抛光液,对Cu和正硅酸乙酯(TEOS)介质层进行化学机械抛光(CMP),研究复合络合剂对材料去除速率、碟形坑和蚀坑的影响.结果 表明,单独使用FA/OⅡ型螯合剂配置抛光液时,随着螯合剂的增加,Cu去除速率明显增加,而TEOS去除速率趋于减小;单独使用CAK配置抛光液时,随着CAK的增加,Cu去除速率缓慢增加,而TEOS去除速率明显增加;使用FA/OⅡ型 螯合剂和CAK复合配置(质量分数分别为20％和3％)阻挡层抛光液,可以得到较高的Cu和TEOS去除速率,Cu和TEOS去除速率选择比为1∶1.8,碟形坑和蚀坑深度分别从69.8 nm和45.5 nm修正为25.6 nm和16.7 nm,铜表面粗糙度由原来的7.11 nm降至1.27 nm.该阻挡层抛光液稳定时间为72 h,其稳定性满足工业化要求.

关键词：化学机械抛光(CMP)、复合络合剂、去除速率、碟形坑、蚀坑

所属期刊栏目：44

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家科技重大专项;国家科技重大专项;河北省自然科学基金青年项目;天津市自然科学基金;河北工业大学优秀青年科技创新基金

在线出版日期：2019-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：870-875