IC铜布线CMP过程中缓蚀剂应用的研究进展

摘要：

化学机械抛光(CMP)是集成电路(IC)制造过程中的一种基本工艺.在铜CMP过程中,缓蚀剂在获得全局平面化和防止腐蚀方面起着关键作用.阐述了常用的缓蚀剂——苯并三氮唑(BTA)在抛光液中的应用,并指出BTA由于其本身的局限性已经难以适应IC发展的技术需求.对近年来国内外能够替代BTA的新型缓蚀剂进行了归纳总结.与BTA相比,新型缓蚀剂能够更好地解决结构性损伤、电偶腐蚀和残留污染物的危害等问题.最后,对缓蚀剂在铜布线CMP过程中的发展趋势进行了分析和展望.在碱性条件下,未来需要重点研究缓蚀剂的缓蚀效果、作用机理、复配协同效应以及去除等问题.

关键词：缓蚀剂、化学机械抛光(CMP)、苯并三氮唑(BTA)、结构性损伤、电偶腐蚀

所属期刊栏目：44

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家科技重大专项;河北省自然科学基金;河北省自然科学基金

在线出版日期：2019-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：863-869