无机氧化物沟道层/有机介质层混合型薄膜晶体管

摘要：

基于低成本溶液法的浸渍提拉成膜工艺以无机In-A1-Zn-O (IAZO)为沟道层,以有机聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为介质层,研制了无机/有机混合型薄膜晶体管(TFT),探究了PMMA厚度对IAZO TFT电学特性和电学稳定性的影响.结果 表明,具备较薄PMMA介质层的TFT呈现出更优越的工作特性(饱和迁移率大于20 cm2·V-1·s-1,电流开关比高于104),然而随着介质层厚度的减薄,经过疲劳测试后的器件电学稳定性却明显退化.此外,有机PMMA介质层(厚度390 nm)叠加于无机IAZO沟道层有一定的增透效果:IAZO/PMMA双层薄膜在可见光区(波长400～700 nm)的平均透过率(95.0％)高于单层IAZO的平均透过率(93.O％),表明所选用的IAZO和PMMA材料在制备全透明器件方面具备一定的应用潜力.

关键词：薄膜晶体管、溶液法、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、介质层厚度、电学稳定性

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分类号：TN321.5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;贵州省科学技术基金资助项目;贵州省科学技术基金资助项目;贵州省教育厅青年成长人才项目;贵州民族大学科研项目;重点实验室项目

在线出版日期：2019-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：857-862