一种高工艺稳定性CMOS低功耗亚阈带隙基准

摘要：

基于CSMC 0.18 μm BCD工艺,在传统亚阈带隙基准(BGR)的基础上进行了改进,设计了一款新型亚阈BGR.利用BCD工艺中普通MOSFET和高压MOSFET的特性差异,使器件工作在亚阈状态,产生亚阈电流.通过特定设计使该电流对电源变化和工艺变化不敏感,在各个工艺角下均能稳定产生亚阈电流.再利用亚阈电流产生多级正温度系数(PTAT)电压,结合负温度系数(CTAT)电压加权后,获得零温度系数电压.该设计具有亚阈带隙的低功耗特性.经过多项目晶圆流片后,测试结果表明该芯片在室温下输出基准电压约为0.9V,工作电流约为5μA,线性调整率为0.019％/V;在-40～125℃内,温度系数达到3.97×10-5/℃.芯片面积为94 μm×85μm.

关键词：带隙基准(BGR)、亚阈电流、低功耗、高压MOSFET、温度系数

所属期刊栏目：44

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：江苏省教育厅项目;江苏省"青蓝工程"项目;江苏省"青蓝工程"项目

在线出版日期：2019-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：840-845,869