超薄氮化镓制备及其光学性质

摘要：

超薄氮化镓(GaN)是一种厚度在纳米尺度的少层GaN薄片,相对于GaN体材料,量子限域效应会使超薄GaN的禁带宽度增大,超薄GaN有望应用于深紫外电子器件.通过使用微机械剥离法将制备出的少层硒化镓(GaSe)薄片(厚度为1～10 nm)与块状GaSe作为前驱体,氨气作为氮源,在管式炉中不同温度下退火进行氨化,得到超薄GaN及块状GaN.通过X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜、光致发光光谱及拉曼光谱对氨化后样品的形貌、成分、光学特性进行了表征.结果 表明,超薄GaN的光学带隙比块状GaN大0.16 eV,拉曼光谱中的纵模光学峰也会随着超薄GaN的厚度减小发生蓝移.

关键词：超薄氮化镓(GaN)、GaSe、氨化、光学带隙、光致发光(PL)光谱

所属期刊栏目：44

分类号：TN304.23(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家重点研发计划;中国科学院率先行动“百人计划”

在线出版日期：2019-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：790-794