基于硝酸钾溶液的GaN电化学刻蚀技术

摘要：

采用基于硝酸钾溶液的电化学刻蚀工艺,通过横向刻蚀牺牲层的方法,在金属有机化学气相沉积法生长的氮化镓(GaN)外延层上实现了纳米孔与纳米薄膜两种结构.通过扫描电子显微镜(SEM)对GaN的表面和截面进行了对比表征.结果 表明,由于在刻蚀过程中氧气的产生,相比于稳定性很好的SiO2,易于氧化剥落的光刻胶在大电压刻蚀下存在着明显的缺陷;在刻蚀电压为12～22 V时牺牲层可以被刻蚀出纳米孔结构,且随着电压的增加刻蚀孔也会增大;在刻蚀电压为23 V及以上电压时牺牲层被完全去除;刻蚀过程中刻蚀速率逐渐降低,100 μm的纳米薄膜可在270 s时制作完成.

关键词：电化学刻蚀、硝酸钾、GaN纳米孔、横向刻蚀、GaN纳米薄膜(NMS)

所属期刊栏目：44

分类号：TN305;TN304.23(半导体技术)

资助基金：国家重点研究计划资助项目2017YFB0404100

在线出版日期：2019-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：778-782