采用偏振喇曼光谱研究AlN晶体(110)面的各向异性

摘要：

采用平行及垂直配置下的偏振散射装置,对物理气相传输(PVT)法同质籽晶生长的六方AlN晶体进行偏振喇曼研究,测量了激发光偏振方向与光轴成不同角度时各个振动模的偏振喇曼光谱,得到不同振动模式的喇曼信号强度变化.结果 表明,对于A1(TO)和E1(TO)振动模,在平行及垂直偏振配置下,其喇曼强度曲线的变化周期均为π/2,相位差均为π/4;对于E2h1gh振动模,在平行和垂直偏振配置下,其喇曼强度曲线的变化周期分别为π及π/2.通过喇曼选择定则及实验数据拟合分析得到AlN晶体各个振动模的喇曼张量比,其中,A1(TO)、E1(TO)和E2high振动模的喇曼张量比为ZnO的2～3倍.垂直偏振配置下,AlN晶体的喇曼张量比远大于4H-SiC材料,为4～7倍,表明AlN晶体具有更强的各向异性,为纤锌矿结构材料的各向异性研究提供依据.

关键词：氮化铝(AlN)、物理气相传输(PVT)法、偏振喇曼散射、各向异性、喇曼张量

所属期刊栏目：44

分类号：TN304.23(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;天津市科技计划

在线出版日期：2019-07-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：571-576