InP双异质结双极晶体管的相位噪声特性

摘要：

InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制.研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方面对器件进行了优化设计.详细介绍了附加相位噪声的测试原理和方法,并提出了一种改进的“正交鉴相”在片测量系统,测得所制作的InP DHBT的附加相位噪声在100 kHz偏移频率时达到-144 dBc/Hz.基于此InP DHBT工艺设计并实现了一款47 GHz差分VCO单片微波集成电路(MMIC),测试结果显示1.2 GHz调谐带宽内该VCO的典型单端输出功率为-3.8 dBm,单电源-5V工作时的电流为23 mA,在100 kHz偏移频率时的相位噪声达到-87 dBc/Hz,验证了文中所研制的InP DHBT优异的相位噪声特性.

关键词：InP双异质结双极晶体管(DHBT)、附加相位噪声、正交鉴相、压控振荡器(VCO)、单片微波集成电路(MMIC)

所属期刊栏目：44

分类号：TN322.8;TN43(半导体技术)

资助基金：预先研究项目31513020201-2

在线出版日期：2019-07-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：537-541,547