基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析

摘要：

随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据.采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪声技术计算出HCI效应前后氧化层陷阱电荷和界面态陷阱电荷变化量,以及栅氧化层附近陷阱密度情况.通过I-V测试方法只能计算出HCI效应诱生的陷阱电荷变化量,对于其陷阱电荷的分布情况却无法计算,而相比于常用的I-V测试方式,低频噪声测试能更准确计算出随HCI后器件界面态陷阱电荷和氧化层陷阱电荷的具体数值及其HCI效应诱生变化值,并计算出氧化层附近的陷阱电荷空间分布情况.

关键词：热载流子注入(HCI)效应、低频噪声、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、界面态陷阱电荷、氧化层陷阱电荷

所属期刊栏目：44

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;广东省省级科技计划;广东省省级科技计划

在线出版日期：2019-07-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：531-536