一种正电压控制的单片微波集成单刀双掷开关

摘要：

设计了一款GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成正电压控制开关.该电路设计采用片上集成隔直电容,对传统负电压控制开关的拓扑结构进行改进.针对PHEMT开关低频(0.1 GHz)下1 dB压缩点输入功率(Pi(1dB))陡降问题进行分析,提出了改进栅极输入阻抗的方法,有效提高了PHEMT开关低频下的Pi(1dB).采用中国电子科技集团公司第十三研究所0.25 μm GaAs PHEMT工艺进行了仿真和流片,芯片的面积为1.0 rmm×1.0 mm.测试结果表明,在频率为0.1～4 GHz内,插入损耗小于0.8 dB,隔离度大于42 dB,Pi(1dB)大于15 dBm.控制电压为0 V/5 V.该款GaAs PHEMT微波单片集成正电压控制开关设计全部达到了预期性能,并实现了改善低频下的Pi(1dB)的目标.

关键词：砷化镓(GaAs)、单片微波集成电路(MMIC)、单刀双掷(SPDT)开关、正电压控制开关、功率压缩

所属期刊栏目：44

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2019-07-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：526-530