用高分辨X射线衍射面扫描评估4H-SiC晶片结晶质量

摘要：

介绍了高分辨X射线衍射(HRXRD)面扫描技术在评估4H-SiC抛光片整体结晶质量方面的应用.对4H-SiC抛光片整片及局部特定位置进行HRXRD摇摆曲线面扫描,并拟合摇摆曲线半高宽(FWHM)峰值得到的极图,观察4H-SiC抛光片表面的FWHM分布范围、分布特点和多峰聚集区.结合表面缺陷测试仪和偏振光显微镜测试方法,对因螺旋生长产生的晶界分布聚集区以及边缘高应力晶界聚集区进行了表征.二者测试结果与HRXRD摇摆曲线面扫描的结果一致.对多片样品在不同区域使用不同测试方法得到的结果均验证了HRXRD摇摆曲线面扫描可以宏观识别晶畴界面聚集区,清楚辨别出位于晶片中心附近由于螺旋生长面交界形成的晶畴界面,以及位于晶片边缘、受生长热场影响晶粒畸变产生的高应力晶畴界面.

关键词：4H-SiC单晶、高分辨X射线衍射(HRXRD)、面扫描、摇摆曲线半高宽(FWHM)、晶界

所属期刊栏目：44

分类号：TN304.2;O785(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家重点研发计划;天津市科技计划;天津市科技计划

在线出版日期：2019-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：477-482