蓝宝石衬底上槽栅型X波段增强型AlGaN/GaN HEMT

摘要：

研制了一款X波段增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).在3英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石衬底上采用低损伤栅凹槽刻蚀技术制备了栅长为0.3 μm的增强型AlGaN/GaNHEMT.所制备的增强型器件的阈值电压为0.42 V,最大跨导为401 mS/mm,导通电阻为2.7 Ω·mm.器件的电流增益截止频率和最高振荡频率分别为36.1和65.2 GHz.在10 GHz下进行微波测试,增强型AlGaN/GaN HEMT的最大输出功率密度达到5.76 W/mm,最大功率附加效率为49.1％.在同一材料上制备的耗尽型器件最大输出功率密度和最大功率附加效率分别为6.16 W/mm和50.2％.增强型器件的射频特性可与在同一晶圆上制备的耗尽型器件相比拟.

关键词：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)、增强型、低损伤刻蚀、栅凹槽、射频特性

所属期刊栏目：44

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2019-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：433-437