无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管正向电流输运机制

摘要：

研究了无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管(SBD)的正向电流输运机制.分别采用Ni/Au和TiN作为阳极金属材料制备了无凹槽AlGaN/GaN SBD,对比了两种SBD的直流特性.并通过测量器件的变温I-V特性,研究了器件的正向电流输运机制.结果 表明,TiN-SBD(0.95 V@1 mA·mm-1)与Ni/Au-SBD(1.15 V@1 mA·mm-1)相比实现了更低的开启电压,从而改善了正向导通特性.研究发现两种SBD的势垒高度和理想因子都强烈依赖于环境温度,通过引入势垒高度的高斯分布模型解释了这种温度依赖性,验证了正向电流输运机制为与势垒高度不均匀分布相关的热电子发射机制.

关键词：AlGaN/GaN、肖特基势垒二极管(SBD)、正向电流输运机制、TiN、势垒高度、无凹槽

所属期刊栏目：44

分类号：TN311.7;TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家重点研发计划;科技部专项;北京市自然科学基金

在线出版日期：2019-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：426-432