一种高线性无源双平衡混频器

摘要：

设计了一种适用于1.0～2.0 GHz的高线性下变频混频器.电路设计采用了无源双平衡结构,片内集成宽带巴伦、限幅本振放大器、混频核和偏置电路.为了提高混频器的线性度,在对无源双平衡的结构进行分析的基础上,折中选择混频核的晶体管尺寸,并优化了本振放大器输出信号的幅值及上升时间.基于0.35 μm BiCMOS工艺进行了设计仿真,芯片面积为0.9 mm×1.8 mm.流片测试结果表明:射频频率1.0～2.0 GHz,对应本振频率1.0～2.0 GHz,最佳本振输入功率为0 dBm,转换增益大于-7.0 dB,射频输入三阶交调大于25 dBm,混频器工作电压为3.3V,功耗为112 mW.该高线性无源双平衡混频器可满足工程应用.

关键词：混频器、BiCMOS、无源双平衡、高线性度、下变频

所属期刊栏目：44

分类号：TN433;TN773(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2019-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：421-425,432