p型SiC欧姆接触理论及研究进展

摘要：

碳化硅(SiC)具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率等优异特性,是制备高温、高频、大功率器件最理想的半导体材料之一.然而,制备良好的SiC欧姆接触尤其是p型SiC欧姆接触仍然是SiC器件研制中亟需攻克的关键技术难题.首先对p型SiC欧姆接触的形成机制及金属/SiC接触势垒理论进行了深入分析.然后,对近年来p型SiC欧姆接触的重要研究进展进行了综述,包括形成欧姆接触的金属体系,制备工艺条件,获得的比接触电阻率等,并重点讨论了p型SiC欧姆接触的形成机理.最后,对未来p型SiC欧姆接触的研究方向进行了展望.

关键词：p型SiC、欧姆接触、势垒理论、比接触电阻率、形成机理

所属期刊栏目：44

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;创新项目

在线出版日期：2019-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：401-409