先进电子器件封装中键合引线的电磁特性

摘要：

通过仿真键合引线不同拱高、直径和数量对回波损耗的影响, 探究了高频下先进封装结构中典型键合引线的电磁特性, 以指导其优化设计.结合其电磁全波仿真模型建模, 提出了改进的"T"型等效电路并解释了相关现象和结论.仿真结果表明, 相比直径为25μm的键合引线, 75μm的同类引线在6.8 GHz处可将回波损耗改善近10 dB;拱高为0.15 mm的键合引线比0.35 mm的键合引线在7.4 GHz处可将回波损耗改善约12.3 dB;采用三根线并联的连接方式相比单根的成本较高, 但在全频段回波损耗均可得到改善.最后研究了芯片堆叠结构中键合引线不同连接方式的电磁特性, 结果表明, 转接式相比直连式具有更好的传输特性和较低的电磁干扰.

关键词：键合引线、全波仿真、回波损耗、电磁干扰、堆叠结构

所属期刊栏目：44

分类号：TN405.96(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;河北省自然科学基金重点项目

在线出版日期：2019-06-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：390-394