图形化蓝宝石衬底表面原位处理对GaN外延薄膜的影响

摘要：

采用预铺Ga或NH3氮化等方式原位处理图形化蓝宝石衬底 (PSS) 表面, 然后外延生长了GaN薄膜, 研究了PSS表面预处理对GaN薄膜表面形貌、晶体质量以及残余应力的影响.结果显示, PSS经过预铺Ga后生长的GaN薄膜具有平滑的表面和清晰平直的原子台阶, 且位错密度最低;氮化后生长的GaN薄膜原子台阶较宽, 螺型位错密度较低;衬底未经表面处理生长的GaN薄膜, 原子台阶模糊, 位错密度最高;同时, 与氮化或未经预处理的方法相比, 经过预铺Ga的方式预处理PSS表面后生长的GaN薄膜残余应力最小.分析认为, 预铺Ga、氮化等方式处理衬底表面, 改变了PSS微结构, 有利于生长表面平滑、晶体质量高、残余应力小的GaN薄膜.

关键词：氮化镓、图形化蓝宝石衬底 (PSS)、金属有机化学气相沉积 (MOCVD)、外延、表面处理

所属期刊栏目：44

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划2017YFB0402903

在线出版日期：2019-06-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：374-378