n型双面TOPCon太阳电池钝化技术

摘要：

隧穿氧化物钝化接触 (TOPCon) 技术已成为当前产业化高效太阳电池的重点研究方向之一.报道了可应用于规模化生产的n型双面TOPCon太阳电池技术, 对前表面SiO2/多晶硅钝化层进行了优化设计.为了有效降低接触电阻, 太阳电池的背表面采用了全面积SiO2/多晶硅钝化层结构;为避免多晶硅层对太阳光的寄生吸收, 仅将SiO2/多晶硅钝化层应用于前表面金属接触的底部.J-V特性和少子寿命等分析显示, 双面TOPCon结构设计显著提升了太阳电池的表面钝化接触性能, 其开路电压和短路电流密度显著增加.所制备的面积为239 cm2的双面TOPCon太阳电池的平均正面转换效率可达20.33％, 相对正面无SiO2/多晶硅钝化层的常规钝化发射极及背表面全扩散 (PERT) 结构的太阳电池转换效率提升了0.29％.

关键词：隧穿氧化物钝化接触 (TOPCon) 太阳电池、选择性钝化接触、隧穿氧化层、多晶硅、双面太阳电池

所属期刊栏目：44

分类号：TN305;TM914(半导体技术)

在线出版日期：2019-06-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：368-373