双沟道脊波导InGaAsP/InGaAsP半导体激光器的温度分布仿真

摘要：

采用二维有限元法(FEM) 模拟了激射波长为1 550 nm 的InGaAsP /InGaAsP 多量子阱(MQW) 双沟道脊波导(DCRW) 激光器的热分布,系统研究了钝化层材料、沟道宽度、Au层厚度和石墨烯填充对激光器散热的影响.模拟结果表明,上述参数均对激光器的有源区温度和热分布产生影响.当没有石墨烯填充时,激光器的温升随着沟道宽度减少而提高; 当有石墨烯填充时,激光器的温升随着沟道宽度和石墨烯厚度增加而提高.采用AlN 钝化层、Au 层加厚和石墨烯填充优化的激光器结构,其温升比传统结构激光器的温升低6 ℃.该结果为设计制备In-GaAsP /InGaAsP 激光器改善其散热性能提供指导,可为其他InP 基光子集成回路改善热性能提供参考.

关键词：温升、InGaAsP /InGaAsP 多量子阱(MQW)、双沟道、脊型、半导体激光器

所属期刊栏目：44

分类号：TN365(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;江苏省重点研发计划产业前瞻与共性关键技术资助项目

在线出版日期：2019-06-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：356-361,373