SiC MOSFET的短路特性

摘要：

以SiC MOSFET为代表的功率器件的驱动及保护技术长期被国外垄断, 国内对SiC MOSFET的驱动保护技术研究较少.SiC MOSFET栅极氧化层薄、短路耐量小, 由于高频开关特性, 其对回路寄生参数的影响更加敏感, 桥臂结构应用时更易因串扰而引起误导通, 因此快速检测并可靠关断的短路保护技术显得尤为重要.设计了基于FPGA的数字式SiC MOSFET驱动保护电路, 实现了短路保护盲区时间易于调整.搭建了第一类短路测试平台并对SiC MOSFET进行了短路测试, 分析了漏源极电压退饱和保护及短路测试平台原理, 在此基础上研究了栅极电阻、栅源极电压等外部参数对SiC MOSFET短路特性的影响, 为SiC MOSFET器件的应用及驱动器的设计提供了一定的指导.

关键词：SiC、MOSFET、短路特性、FPGA、驱动保护、盲区时间

所属期刊栏目：44

分类号：TN386;TN304.24(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;陕西省重点研发计划资助项目;西安市科技计划

在线出版日期：2019-06-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：342-348