金刚石基GaN HEMT技术发展现状和趋势

摘要：

采用金刚石衬底可显著提升GaN微波功率器件的散热能力, 从而制作尺寸更小、功率更高的金刚石基GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件.介绍了金刚石基GaN HEMT技术优势.综述了金刚石基GaN HEMT的金刚石衬底生长、金刚石与GaN HEMT层结合、金刚石/GaN界面优化等制造技术的研发现状, 并概述了金刚石基GaN微波功率器件的最新研究进展.最后分析了金刚石基GaN HEMT制造技术面临的挑战和未来的发展趋势, 表明制作低成本大尺寸金刚石衬底材料、提升GaN/金刚石界面热阻以及大幅提升金刚石基GaN器件的性能并在射频功率器件领域实现商用将是未来发展的重点.

关键词：金刚石、GaN、高电子迁移率晶体管 (HEMT)、功率器件、制造技术

所属期刊栏目：44

分类号：TN386;TN325.3(半导体技术)

在线出版日期：2019-06-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：321-328,334