基于40nm CMOS工艺电路的NBTI退化表征方法

摘要：

负偏压温度不稳定性(NBTI)退化是制约纳米级集成电路性能及寿命的主导因素之一,基于40 nm CMOS工艺对NBTI模型、模型提参及可靠性仿真展开研究.首先对不同应力条件下PMOS晶体管NBTI退化特性进行测试、建模及模型参数提取,然后建立了基于NBTI效应的VerilogA等效受控电压源,并嵌入SpectreTM仿真库中,并将此受控电压源引入反相器及环形振荡器模块电路中进行可靠性仿真分析,可有效反映NBTI退化对电路性能的影响.提出了一套完整可行的电路NBTI可靠性预测方法,包括NBTI模型、模型参数提取、VerilogA可靠性模型描述以及电路级可靠性仿真分析,可为纳米级高性能、高可靠性集成电路设计提供有效参考.

关键词：负偏压温度不稳定性(NBTI)、模型提参、可靠性仿真、VerilogA、反应-扩散(RD)模型

所属期刊栏目：44

分类号：TN402;TN406(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2019-05-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：302-306